利用晶閘管作為無觸點開關的高低壓無功補償裝置，它根(gen)據晶閘(zha)(zha)管能夠精確觸(chu)發的(de)(de)(de)特性，快(kuai)速平穩地(di)投入或切除補償(chang)電容器(qi)。因此(ci)，晶閘(zha)(zha)管對(dui)于電容補償(chang)裝(zhuang)置有(you)著至(zhi)關重要的(de)(de)(de)作用。如(ru)此(ci)一來，會判別、檢查晶閘(zha)(zha)管損(sun)害(hai)(hai)的(de)(de)(de)原因就有(you)重要的(de)(de)(de)意義。安徽(hui)得潤電氣(qi)專業生產高低壓無功補償(chang)柜將近十年的(de)(de)(de)時(shi)間，對(dui)這方面還是比較在行的(de)(de)(de)。那就讓安徽(hui)得潤電氣(qi)來帶我們尋找晶閘(zha)(zha)管損(sun)害(hai)(hai)的(de)(de)(de)原因，主要有(you)以下幾個(ge)方法：

當晶(jing)(jing)閘管損壞后(hou)需要(yao)檢查(cha)分(fen)析其(qi)(qi)原(yuan)因(yin)時，可把管芯從冷卻套中取(qu)(qu)出，打開(kai)芯盒(he)再取(qu)(qu)出芯片，觀察其(qi)(qi)損壞后(hou)的痕跡，以判斷是(shi)何原(yuan)因(yin)。如(ru)下(xia)就是(shi)幾(ji)種(zhong)常(chang)見的晶(jing)(jing)閘管損壞原(yuan)因(yin)的判別方(fang)法：

1.電壓擊穿

晶閘管因不(bu)能(neng)承受電(dian)壓而(er)損壞，其芯片中有一個光潔的小(xiao)孔，有時(shi)需用(yong)擴(kuo)大(da)鏡才能(neng)看(kan)見。其原(yuan)因可能(neng)是管子本身耐(nai)壓下降或(huo)被電(dian)路斷開(kai)時(shi)產生的高電(dian)壓擊穿。

2.電流損壞

電流損壞的痕跡(ji)特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其位置(zhi)在遠離控(kong)制(zhi)極上。

3.電流上升率損壞

其(qi)痕跡與電流損壞相同，而(er)其(qi)位置在控(kong)制(zhi)極附(fu)近(jin)或就在控(kong)制(zhi)極上。

4.邊緣損壞

若發生在芯片外圓倒(dao)角處，有(you)細(xi)小(xiao)光潔小(xiao)孔。用放大鏡可看到倒(dao)角面上有(you)細(xi)細(xi)金屬(shu)物劃(hua)痕。這是制造廠(chang)家(jia)安裝不慎所造成的。它導致電(dian)壓擊(ji)穿。

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